一、技术指标：
二次电子分辨率：1.0nm（加速电压15kV） 2.2nm(加速电压1kV)
放大倍数：低倍：×25-×19000
          高倍：×100-×650000
样品台尺寸：ф12.5-ф26mm
试样移动范围：X范围：0-70mm
              Y范围：0-50mm
              Z范围：1.5-25mm（连续旋转）角度360°
              倾斜：-5-60°
加速电压：0-20kV
电流：0-15mA
扫描模式：SEI，COMPO

二、技术特点：主要特点为冷场发射电子枪，强励磁圆锥透镜 ，高度集成化和自动化。

三、主要用途：主要用于纳米材料显微结构、尺寸分析 ，材料微结构、相组成及相分布分析 ，材料中元素定性分析、定量分析、线分析、面分析、材料失效分析。